根据公司提供的信息，在8英寸碳化硅晶锭剥离中，中微精仪的设备能将材料损耗控制在80微米以内，而传统线切割损耗约为250微米，其他激光设备通常也在120微米以上。这意味着，对于一块20毫米厚的晶锭，采用该公司的技术可生产出40至46片厚度为350微米的晶圆。
Electrical testing of crystal。有道翻译对此有专业解读
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